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[金屬冶煉、軋制人員]
職業(yè)描述:硬質(zhì)合金生產(chǎn)人員
更新時間:2007-05-23   來源:中華職工學(xué)習(xí)網(wǎng)
    操作硬質(zhì)合金專用設(shè)備,用難熔金屬化合物和黏結(jié)金屬粉末,制取合金制品的人員。……
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職業(yè)描述:碳素制品生產(chǎn)人員
更新時間:2007-05-23   來源:中華職工學(xué)習(xí)網(wǎng)
    將焦炭、煤、瀝青等原料制成碳素制品的人員。……
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職業(yè)描述:鑄鐵管人員
更新時間:2007-05-23   來源:中華職工學(xué)習(xí)網(wǎng)
    操作連續(xù)、離心鑄管系統(tǒng)設(shè)備,將鐵水澆鑄成鑄鐵管的人員。……
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職業(yè)描述:金屬軋制人員
更新時間:2007-05-23   來源:中華職工學(xué)習(xí)網(wǎng)
    操作軋制、拉拔等設(shè)備,對金屬錠、坯進行軋制、拉拔、擠壓及處理加工的人員。……
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化學(xué)機械拋光中的硅片夾持技術(shù)
更新時間:2007-05-23   來源:中華職工學(xué)習(xí)網(wǎng)
    集成電路(IC)制造是電子信息產(chǎn)業(yè)的核心,是推動國民經(jīng)濟和社會信息化發(fā)展最主要的高新技術(shù)之一。發(fā)達國家國民經(jīng)濟總產(chǎn)值增長部分的65%與IC工業(yè)相關(guān),而全球90%以上的IC都要采用硅片。IC的發(fā)展遵循“Moore定律”,每隔3年芯片的集成度翻兩番,特征尺寸縮小1……
  關(guān)鍵字:金屬 冶煉 軋制 職業(yè) 描述 半導(dǎo)體 材料 制備 硅粉 高純 氫氣 制取 硅心 高純水 多晶 三氯氫硅 
米CMOS器件中超淺結(jié)離子摻雜新技術(shù)
更新時間:2007-05-23   來源:中華職工學(xué)習(xí)網(wǎng)
    近幾年來,IC芯片設(shè)計、芯片制造、測試和封裝技術(shù)都取得了長足的進展,整個產(chǎn)業(yè)鏈的各個環(huán)節(jié)都在配套發(fā)展。“中國芯”與“外國芯”制造水平的差距正在縮短。盡管芯片特征尺寸0.25~0.18mm的CMOS 工藝仍是當(dāng)前制備IC的主流技術(shù),但0.13mm技術(shù)已開始進入生……
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重摻硅襯底材料中氧沉淀研究進展
更新時間:2007-05-23   來源:中華職工學(xué)習(xí)網(wǎng)
    器件性能的提高,需要器件工藝的改善,另外還要有基礎(chǔ)材料質(zhì)量的保證。材料的發(fā)展更能促進器件發(fā)展的飛躍,而材料的性能又取決于其內(nèi)部結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體硅材料以豐富的資源、優(yōu)質(zhì)的特性、日臻完善的工藝以及廣泛的用途等綜合優(yōu)勢而成為當(dāng)代電子工業(yè)中應(yīng)用最多的半導(dǎo)體材料。 ……
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半導(dǎo)體硅片金屬微觀污染機理研究進展
更新時間:2007-05-23   來源:中華職工學(xué)習(xí)網(wǎng)
    隨著ULSI技術(shù)的不斷向前發(fā)展,對半導(dǎo)體硅的表面性質(zhì)要求也越來越嚴格。而且電路的集成度日益提高,單元圖形的尺寸日益微化,污染物對器件的影響也愈加突出,以至于潔凈表面的制備已成為制作64M和256Mbyte DRAM的關(guān)鍵技術(shù)[1,2]。此外有超過50%成品損失……
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對拋光片清洗技術(shù)的研究
更新時間:2007-05-23   來源:中華職工學(xué)習(xí)網(wǎng)
    目前在半導(dǎo)體工業(yè)生產(chǎn)中,普遍采用的清洗工藝是改進的RCA清洗技術(shù),多年來,人們對RCA清洗技術(shù)的清洗效果進行了深入的研究,kern證明RCA工藝可在硅片的表面形成1~1.5nm的氧化硅鈍化膜[1],okumura觀察到標(biāo)準(zhǔn)的RCA清洗對硅片表面有較嚴重的粗糙化……
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ULSI多層銅布線鉭阻擋層及其CMP拋光液的優(yōu)化
更新時間:2007-05-23   來源:中華職工學(xué)習(xí)網(wǎng)
    由于鋁自身的性質(zhì),導(dǎo)致傳統(tǒng)的鋁布線工藝制作的器件經(jīng)常會因鋁的電遷移而失效,隨著ULSI特征尺寸的進一步減小,布線層數(shù)增加、寬度也隨之變細,這個問題也變得更加突出。而銅的多層布線恰恰能避免這一問題的出現(xiàn),因此在深亞微米工藝中(0.18μm及以下),銅將逐步代替鋁……
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微制造光刻工藝中光刻膠性能的比較
更新時間:2007-05-23   來源:中華職工學(xué)習(xí)網(wǎng)
    光刻加工工藝中為了圖形轉(zhuǎn)移,輻照必須作用在光刻膠上,通過改變光刻膠材料的性質(zhì),使得在完成光刻工藝后,光刻版圖形被復(fù)制在圓片的表面[1]。而加工前,如何選用光刻膠在很大程度上已經(jīng)決定了光刻的精度。盡管正性膠的分辨力是最好的,但實際應(yīng)用中由于加工類型、加工要求、加……
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硅片翹曲對光刻條寬均勻性的分析
更新時間:2007-05-23   來源:中華職工學(xué)習(xí)網(wǎng)
    在集成電路制造中,光刻質(zhì)量的好壞是影響產(chǎn)品成品率的主要因素之一,條寬均勻性是衡量光刻質(zhì)量的兩大指標(biāo)之一。隨著集成電路特征尺寸的縮小,步進光刻機在生產(chǎn)中得到了普遍的應(yīng)用,硅片的翹曲對條寬均勻性的影響不容忽視。……
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GaN薄膜生長實時監(jiān)控系統(tǒng)的實現(xiàn)
更新時間:2007-05-23   來源:中華職工學(xué)習(xí)網(wǎng)
    由于氮化鎵(GaN)材料在光電子及微電子領(lǐng)域有巨大的應(yīng)用前景,GaN基材料成為近年來世界各國競相研究和開發(fā)的新一代寬帶隙半導(dǎo)體材料。但由于缺乏大尺寸的GaN基體材料,所以只能在其他襯底上進行異質(zhì)外延生長。在各種生長技術(shù)中,金屬有機化學(xué)汽相沉積(MOCVD)已經(jīng)……
  關(guān)鍵字:金屬 冶煉 軋制 職業(yè) 描述 半導(dǎo)體 材料 制備 硅粉 高純 氫氣 制取 硅心 高純水 多晶 三氯氫硅 
n型高阻硅單晶電阻率均勻性的控制
更新時間:2007-05-23   來源:中華職工學(xué)習(xí)網(wǎng)
    高阻n型〈111〉硅單晶被廣泛用在功率器件方面。近年來許多功率器件廠家為提高成品率,對硅單晶的電阻率徑向均勻性提出了更為嚴格的要求。普遍要求n型〈111〉Φ100mm硅單晶片的電阻率不均勻性小于15%,有的單位甚至要求小于10%。n〈111〉晶向硅單晶生長過程……
  關(guān)鍵字:金屬 冶煉 軋制 職業(yè) 描述 半導(dǎo)體 材料 制備 硅粉 高純 氫氣 制取 硅心 高純水 多晶 三氯氫硅 
半導(dǎo)體晶圓制造中的設(shè)備效率和設(shè)備能力
更新時間:2007-05-23   來源:中華職工學(xué)習(xí)網(wǎng)
    半導(dǎo)體工業(yè)極大依賴于半導(dǎo)體制造設(shè)備的投資,而且是同步增長的。隨著設(shè)備的硅片尺寸大直徑化、設(shè)備的高精度化、自動化,設(shè)備價格日益昂貴化,工藝線的設(shè)備總投資更是成倍地增長。對工藝線來說,在設(shè)備投資加大的同時,設(shè)備折舊的負擔(dān)也加大,設(shè)備折舊與維修占硅片加工總成本的最大……
  關(guān)鍵字:金屬 冶煉 軋制 職業(yè) 描述 半導(dǎo)體 材料 制備 硅粉 高純 氫氣 制取 硅心 高純水 多晶 三氯氫硅 
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