世界著名物理學家黃昆

黃昆院士1919年9月出生于北京，1941年畢業于燕京大學物理系。1945年赴英國留學，1948年獲英國布里斯托（Bristol）大學哲學博士學位，1949―1951年在英國利物浦大學理論物理系任博士后研究員，1951―1977年在北京大學物理系任教授，并于1959年加入中國共產黨，1977―1983年任中國科學院半導體研究所所長，1983年以后，任名譽所長。1987―1991年曾任中國物理學會理事長。他先后被選為中國科學院學部委員（院士）（1955年），瑞典皇家科學院外籍院士（1980年），第三世界科學院院士（1985年）。

　　黃昆院士是世界著名的物理學家，他對固體物理學做出了許多開拓性的重大貢獻，是我國固體物理學和半導體物理學的奠基人之一。他從理論上預言了與晶格中雜質有關的X光漫散射，以后被稱為“黃散射”。這個理論在20世紀60年代獲實驗證實，“黃散射”已發展成為一種能直接研究固體中微觀缺陷的有效手段。他的多聲子躍遷理論，以“黃―里斯因子”

　　而著稱于世。他提出關于描述晶體中光學位移、宏觀電場與電極化三者關系的“黃方程”和由此引伸的電磁波與晶格振動的耦合，即后來稱為極化激元的重要概念。他與M.Born合著的《晶格動力學理論》一書，是一部有世界影響的經典性科學專著。他的理論對信息產業（特別是光電子產業）具有重要的現實指導意義，產生著越來越深遠的影響。近年來，他與合作者對半導體超晶格的電子態和聲子模開展了系統而富有成效的研究。

　　半個世紀以來，他不僅對固體物理做出了重要貢獻。同時，還對高等學校中普通物理、固體物理和半導體物理的教學做出了十分重要的貢獻。

　　黃昆院士熱愛祖國，熱愛科技事業，辛勤開拓，奮斗不息，為創建和發展我國半導體科技事業做出重要貢獻。

　　黃昆院士同時是我國半導體科技界的一代宗師，培養了一批又一批國家科技棟梁之才。

　　2002年為表彰黃昆院士在固體物理學領域的杰出成就和貢獻，黃昆院士榮獲2001年度國家最高科學技術獎。榮獲1995年度何梁何利基金科學與技術成就獎。2005年7月6日，黃昆院士病逝。