第1章 半導(dǎo)體工業(yè)
1.1 一個工業(yè)的誕生
1.2 固態(tài)時代
1.3 集成電路
1.4 工藝和產(chǎn)品趨勢
1.5 特征圖形尺寸的減小
1.6 芯片和晶圓尺寸的增大
1.7 缺陷密度的減小
1.8 內(nèi)部連線水平的提高
1.9 SIA的發(fā)展方向
1.10 芯片成本
1.11 半導(dǎo)體工業(yè)的發(fā)展
1.12 半導(dǎo)體工業(yè)的構(gòu)成
1.13 生產(chǎn)階段
1.14 開發(fā)的十年（1951~1960）
1.15 工藝的十年（1961~1970）
1.16 產(chǎn)品的十年（1971~1980）
1.17 自動化的十年（1981~1990）
1.18 產(chǎn)品的紀(jì)元（1991~2000）
1.19 極小的紀(jì)元
1.20 關(guān)鍵概念和術(shù)語
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第2章 半導(dǎo)體材料和工藝化學(xué)品
2.1 原子結(jié)構(gòu)
2.2 元素周期表
2.3 電傳導(dǎo)
2.4 絕緣體和電容器
2.5 本征半導(dǎo)體
2.6 摻雜半導(dǎo)體
2.7 摻雜半導(dǎo)體的電阻率
2.8 電子和空穴傳導(dǎo)
2.9 載流子遷移率
2.10 半導(dǎo)體產(chǎn)品材料
2.11 半導(dǎo)體化合物
2.12 鍺化硅
2.13 鐵電材料
2.14 工藝化學(xué)品
2.15 物質(zhì)的狀態(tài)
2.16 等離子體
2.17 物質(zhì)的性質(zhì)
2.18 壓力和真空
2.19 酸，堿和溶劑
2.20 材料安全數(shù)據(jù)表
2.21 關(guān)鍵概念和術(shù)語
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第3章 晶圓制備
3.1 簡介
3.2 半導(dǎo)體硅制備
3.3 晶體材料
3.4 晶體生長
3.5 晶體和晶圓質(zhì)量
3.6 晶體準(zhǔn)備
3.7 切片
3.8 晶圓刻號
3.9 磨片
3.10 化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）
3.11 背處理
3.12 雙面拋光
3.13 邊緣倒角和拋光
3.14 晶圓評估
3.15 氧化
3.16 包裝
3.17 晶圓外延
3.18 關(guān)鍵概念和術(shù)語
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第4章 芯片制造概述
4.1 晶圓生產(chǎn)的目標(biāo)
4.2 晶圓術(shù)語
4.3 晶圓生產(chǎn)的基礎(chǔ)工藝
4.4 制造半導(dǎo)體器件和電路
4.5 芯片術(shù)語
4.6 晶圓測試
4.7 集成電路的封裝
4.8 小結(jié)
4.9 關(guān)鍵概念和術(shù)語
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第5章 污染控制
5.1 簡介
5.2 問題
5.3 污染源
5.4 潔凈室的建設(shè)
5.5 潔凈室的物質(zhì)與供給
5.6 潔凈室的維護(hù)
5.7 晶片表面清洗
5.8 關(guān)鍵概念和術(shù)語
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第6章 工藝良品率
6.1 良品率測量點(diǎn)
6.2 累積晶圓生產(chǎn)良品率
6.3 晶圓生產(chǎn)良品率的制約因素
6.4 晶圓電測良品率要素
6.5 封裝和最終測試良品率
6.6 整體工藝良品率
6.7 關(guān)鍵概念和術(shù)語
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第7章 氧化
7.1 二氧化硅層的用途
7.2 熱氧化機(jī)制
7.3 熱氧化方法
7.4 水平爐管反應(yīng)爐
7.5 垂直爐管反應(yīng)爐
7.6 快速升溫反應(yīng)爐
7.7 快速加熱工藝
7.8 高壓氧化
7.9 氧化工藝
7.10 陽極氧化
7.11 熱氮化
7.12 關(guān)鍵概念和術(shù)語
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第8章 基本光刻工藝流程—從表面準(zhǔn)備到曝光
8.1 簡介
8.2 光刻蝕工藝概述
8.3 光刻10步法
8.4 基本的光刻膠化學(xué)
8.5 光刻膠的表現(xiàn)要素
8.6 正膠和負(fù)膠的比較
8.7 光刻膠的物理屬性
8.8 光刻工藝
8.9 表面準(zhǔn)備
8.10 涂光刻膠
8.11 軟烘焙
8.12 對準(zhǔn)和曝光
8.13 對準(zhǔn)系統(tǒng)比較
8.14 關(guān)鍵概念和術(shù)語
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第9章 基本光刻工藝流程—從曝光到最終檢驗(yàn)
9.1 顯影
9.2 硬烘焙
9.3 顯影檢驗(yàn)
9.4 刻蝕
9.5 濕法刻蝕
9.6 干法刻蝕
9.7 光刻膠的去除
9.8 最終目檢
9.9 光刻版制作
9.10 小結(jié)
9.11 關(guān)鍵概念和術(shù)語
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第10章 高級光刻工藝
10.1 ULSI/VLSI集成電路圖形處理過程中存在的問題
10.2 光學(xué)系統(tǒng)分辨率控制
10.3 其他曝光問題
10.4 掩膜版薄膜
10.5 晶圓表面問題
10.6 防反射涂層
10.7 平整化
10.8 先進(jìn)光刻膠工藝
10.9 化學(xué)機(jī)械研磨小結(jié)
10.10 改進(jìn)刻蝕工藝
10.11 自對準(zhǔn)結(jié)構(gòu)
10.12 刻蝕輪廓控制
10.13 光學(xué)光刻的末日到來了嗎
10.14 關(guān)鍵概念和術(shù)語
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第11章 摻雜
11.1 結(jié)的定義
11.2 摻雜區(qū)的形成
11.3 摻雜區(qū)和結(jié)的擴(kuò)散形成
11.4 擴(kuò)散工藝的步驟
11.5 淀積
11.6 推進(jìn)氧化
11.7 離子注入的概念
11.8 離子注入系統(tǒng)
11.9 離子注入?yún)^(qū)域的雜質(zhì)濃度
11.10 離子注入層的評估
11.11 離子注入的應(yīng)用
11.12 摻雜前景展望
11.13 關(guān)鍵概念和術(shù)語
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第12章 淀積
12.1 簡介
12.2 化學(xué)氣相淀積基礎(chǔ)
12.3 CVD的工藝步驟
12.4 CVD系統(tǒng)分類
12.5 常壓CVD系統(tǒng)
12.6 低壓化學(xué)氣相淀積
12.7 增強(qiáng)型等離子體
12.8 氣相外延
12.9 分子束外延
12.10 金屬有機(jī)物CVD
12.11 淀積膜
12.12 淀積的半導(dǎo)體膜
12.13 外延硅
12.14 多晶硅和非晶硅淀積
12.15 SOS和SOI
12.16 絕緣體和絕緣介質(zhì)
12.17 導(dǎo)體
12.18 關(guān)鍵概念和術(shù)語
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第13章 金屬淀積
13.1 簡介
13.2 單一導(dǎo)體層金屬
13.3 多層金屬導(dǎo)體框架
13.4 導(dǎo)體
13.5 金屬薄膜的用途
13.6 淀積方法
13.7 真空泵
13.8 小結(jié)
13.9 關(guān)鍵概念和術(shù)語
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第14章 工藝和器件評估
14.1 簡介
14.2 晶圓的電性測量
14.3 層厚的測量
14.4 結(jié)深
14.5 關(guān)鍵尺寸和線寬測量
14.6 污染物和缺陷檢測
14.7 總體表面特征
14.8 污染認(rèn)定
14.9 器件電學(xué)測量
14.10 關(guān)鍵概念和術(shù)語
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第15章 晶圓加工中的商務(wù)因素
15.1 制造和工廠經(jīng)濟(jì)
15.2 晶圓制造的成本
15.3 設(shè)備
15.4 所有權(quán)成本
15.5 自動化
15.6 工廠層次的自動化
15.7 設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)
15.8 統(tǒng)計(jì)制程控制
15.9 庫存控制
15.10 生產(chǎn)線組織
15.11 關(guān)鍵概念和術(shù)語
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第16章 半導(dǎo)體器件和集成電路的形成
16.1 半導(dǎo)體器件的生成
16.2 集成電路的形成
16.3 超導(dǎo)體
16.4 微電子機(jī)械系統(tǒng)
16.5 關(guān)鍵概念和術(shù)語
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第17章 集成電路的類型
17.1 簡介
17.2 電路基礎(chǔ)
17.3 集成電路的類型
17.4 晶圓的比例集成
17.5 下一代產(chǎn)品
17.6 關(guān)鍵概念和術(shù)語
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
第18章 封裝
18.1 簡介
18.2 芯片的特性
18.3 封裝功能和設(shè)計(jì)
18.4 封裝操作工藝的概述
18.5 封裝工藝
18.6 封裝工藝流程
18.7 封裝-裸芯片策略
18.8 封裝設(shè)計(jì)
18.9 封裝類型和技術(shù)小結(jié)
18.10 關(guān)鍵概念和術(shù)語
習(xí)題
參考文獻(xiàn)
術(shù)語表