薄膜及微細(xì)加工技術(shù)的應(yīng)用范圍極為廣泛，從大規(guī)模集成電路、電子元器件、平板顯示器、信息記錄與存儲、MEMS、傳感器、太陽能電池，到材料的表面改性等，涉及高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)的各個領(lǐng)域。本書內(nèi)容包括真空技術(shù)基礎(chǔ)、薄膜制備、微細(xì)加工、薄膜材料及應(yīng)用、薄膜成分與結(jié)構(gòu)分析等5大部分，涉及薄膜技術(shù)與薄膜材料的各個方面，知識全面，脈絡(luò)清晰。全書共17章，文字通俗易懂，并配有大量圖解，有利于對基本知識的理解、掌握與運(yùn)用。對于從事相關(guān)行業(yè)的科技工作者與工程技術(shù)人員，本書具有極為難得的參考價(jià)值，同時也是其他感興趣讀者了解薄膜材料與技術(shù)在高新技術(shù)中應(yīng)用的一本很好的入門書籍。

第1章 薄膜與高新技術(shù)
第2章 真空技術(shù)基礎(chǔ)
　2.1　真空的基本知識
　2.2　真空的表征
　2.3　氣體分子與表面的相互作用
第3章 真空泵與真空規(guī)
3.1　真空泵
　3.2　真空測量儀器——總壓強(qiáng)計(jì)
第4章 真空裝置的實(shí)際問題
　4.1　排氣的基礎(chǔ)知識
　4.2　材料的放氣
　4.3　排氣時間的估算
　4.4　實(shí)用的排氣系統(tǒng)
　4.5　檢漏
　4.6　大氣溫度與濕度對裝置的影響
　4.7　烘烤用的內(nèi)部加熱器
　4.8　化學(xué)活性氣體的排氣
第5章 氣體放電和低溫等離子體
　5.1　帶電粒子在電磁場中的運(yùn)動
　5.2　氣體原子的電離和激發(fā)
　5.3　氣體放電發(fā)展過程
　5.4　低溫等離子體概述
　5.5　輝光放電
　5.6　弧光放電
　5.7　高頻放電
　5.8　磁控放電
　5.9　低壓力、高密度等離子體放電
第6章 薄膜生長與薄膜結(jié)構(gòu)
　6.1　薄膜生長概述
　6.2　吸附、表面擴(kuò)散與凝結(jié)
　6.3　薄膜的形核與生長
　6.4　連續(xù)薄膜的形成
　6.5　薄膜的生長過程與薄膜結(jié)構(gòu)
　6.6　非晶態(tài)薄膜
　6.7　薄膜的基本性質(zhì)
　6.8　薄膜的粘附力和內(nèi)應(yīng)力
　6.9　電遷移
第7章 表面結(jié)構(gòu)與薄膜的外延生長
　7.1　理想表面結(jié)構(gòu)
　7.2　清潔表面結(jié)構(gòu)
　7.3　實(shí)際表面結(jié)構(gòu)
　7.4　薄膜的外延生長
　7.5　影響薄膜外延的因素
第8章 薄膜沉積的共性問題
　8.1　成膜工藝與膜材料簡介
　8.2　源和膜的成分——如何得到所需要的膜成分
　8.3　附著強(qiáng)度——如何提高膜層的附著強(qiáng)度
　8.4　臺階涂敷,繞射著膜率,孔底涂敷——如何在大凹凸表面沉積厚度均勻的膜層
　8.5　等離子體及其在薄膜沉積中的作用——膜質(zhì)的改善、新技術(shù)的開發(fā)
　8.6　基板的傳輸機(jī)構(gòu)
　8.7　膜層中的針孔和超凈工作間
第9章 真空蒸鍍
　9.1　概述
　9.2　鍍料的蒸發(fā)
　9.3　蒸發(fā)源
　9.4　蒸發(fā)源的蒸氣發(fā)射特性與基板配置
　9.5　蒸鍍裝置及操作
　9.6　合金膜的蒸鍍
　9.7　化合物膜的蒸鍍
　9.8　脈沖激光熔射（PLA）
　9.9　分子束外延技術(shù)
第10章 離子鍍和離子束沉積
　10.1　離子鍍的原理
　10.2　離子鍍的類型及特點(diǎn)
　10.3　離子束沉積
　10.4　離子束混合
第11章 濺射鍍膜
　11.1　離子濺射
　11.2　濺射鍍膜方式
　11.3　磁控濺射源
　11.4　濺射鍍膜的實(shí)例
第12章 化學(xué)氣相沉積（CVD）
　12.1　熱氧化、氮化
　12.2　熱CVD
　12.3　等離子體CVD（PCVD）
　12.4　光CVD（photo CVD）
　12.5　有機(jī)金屬CVD（MOCVD）
　12.6　金屬CVD585
　12.7　半球形晶粒多晶Si�睠VD（HSG�睠VD）
　12.8　鐵電體的CVD
　12.9　低介電常數(shù)薄膜的CVD
第13章 干法刻蝕
　13.1　干法刻蝕與濕法刻蝕
　13.2　等離子體刻蝕——激發(fā)反應(yīng)氣體刻蝕
　13.3　反應(yīng)離子刻蝕（RIE）
　13.4　反應(yīng)離子束刻蝕（RIBE）
　13.5　氣體離化團(tuán)束（GCIB）加工技術(shù)
　13.6　微機(jī)械加工
　13.7　干法刻蝕用離子源的開發(fā)
第14章 平坦化技術(shù)
　14.1　平坦化技術(shù)的必要性
　14.2　平坦化技術(shù)概要
　14.3　不發(fā)生凹凸的薄膜生長
　14.4　沉積同時進(jìn)行加工防止凹凸發(fā)生的薄膜生長
　14.5　薄膜生長后經(jīng)再加工實(shí)現(xiàn)平坦化
　14.6　埋入技術(shù)實(shí)例
　14.7　化學(xué)機(jī)械研磨（CMP）技術(shù)
　14.8　氣體離化團(tuán)束（GCIB）加工平坦化
　14.9　鑲嵌法布線及平坦化
　14.10　平坦化技術(shù)與光刻制版術(shù)
第15章 薄膜材料
　15.1　金屬薄膜材料
　15.2　無機(jī)、陶瓷薄膜材料
　15.3　有機(jī)、聚合物薄膜材料
　15.4　半導(dǎo)體薄膜材料
第16章 薄膜材料的應(yīng)用
　16.1　表面改性
　16.2　超硬膜用于切削刀具
　16.3　能量變換薄膜與器件
　16.4　傳感器
　16.5　半導(dǎo)體器件
　16.6　記錄與存儲
　16.7　平板顯示器
　16.8　金剛石薄膜的應(yīng)用
　16.9　太陽能電池
　16.10　發(fā)光器件
第17章 薄膜材料的評價(jià)表征及物性測定
　17.1　薄膜材料評價(jià)表征的特殊性
　17.2　薄膜材料評價(jià)表征方法及其選擇
　17.3　薄膜材料的評價(jià)表征
　17.4　相關(guān)技術(shù)和裝置
　17.5　薄膜材料評價(jià)表征舉例
　17.6　薄膜材料的物性測定
附錄A 各種元素的溫度—蒸氣壓特性
附錄B 元素的電離電位
附錄C 物理常數(shù)表
附錄D（新舊）常用計(jì)量單位對照與換算
附錄E 能量換算表、壓力換算表及氣體的性質(zhì)表
附錄F 半導(dǎo)體大規(guī)模集成電路的發(fā)展預(yù)測
附錄G 示屏的圖像分辨率等級、圖像分辨率（像素?cái)?shù)）和寬高比
附錄H 元素周期表
附錄I 薄膜技術(shù)與薄膜材料領(lǐng)域常用縮略語注釋
參考文獻(xiàn)