薄膜及微細加工技術的應用范圍極為廣泛，從大規模
集成電路、電子元器件、平板顯示器、信息記錄與存儲、MEMS、傳感器、太陽能電池，到材料的表面改性等，涉及
高新技術產業的各個領域。本書內容包括真空技術基礎、薄膜制備、微細加工、
薄膜材料及應用、薄膜成分與
結構分析等5大部分，涉及薄膜技術與薄膜材料的各個方面，知識全面，脈絡清晰。全書共17章，文字通俗易懂，并配有大量圖解，有利于對基本知識的理解、掌握與運用。對于從事相關行業的科技工作者與工程技術人員，本書具有極為難得的參考價值，同時也是其他感興趣讀者了解薄膜材料與技術在高新技術中應用的一本很好的入門書籍。
第1章 薄膜與高新技術
第2章 真空技術基礎
2.1 真空的基本知識
2.2 真空的表征
2.3 氣體分子與表面的相互作用
第3章 真空泵與真空規
3.1 真空泵
3.2 真空測量儀器——總壓強計
第4章 真空裝置的實際問題
4.1 排氣的基礎知識
4.2 材料的放氣
4.3 排氣時間的估算
4.4 實用的排氣系統
4.5 檢漏
4.6 大氣溫度與濕度對裝置的影響
4.7 烘烤用的內部加熱器
4.8 化學活性氣體的排氣
第5章 氣體放電和低溫等離子體
5.1 帶電粒子在電磁場中的運動
5.2 氣體原子的電離和激發
5.3 氣體放電發展過程
5.4 低溫等離子體概述
5.5 輝光放電
5.6 弧光放電
5.7 高頻放電
5.8 磁控放電
5.9 低壓力、高密度等離子體放電
第6章 薄膜生長與薄膜結構
6.1 薄膜生長概述
6.2 吸附、表面擴散與凝結
6.3 薄膜的形核與生長
6.4 連續薄膜的形成
6.5 薄膜的生長過程與薄膜結構
6.6 非晶態薄膜
6.7 薄膜的基本性質
6.8 薄膜的粘附力和內應力
6.9 電遷移
第7章
表面結構與薄膜的外延生長
7.1 理想表面結構
7.2 清潔表面結構
7.3 實際表面結構
7.4 薄膜的外延生長
7.5 影響薄膜外延的因素
第8章 薄膜沉積的共性問題
8.1 成膜工藝與膜材料簡介
8.2 源和膜的成分——如何得到所需要的膜成分
8.3 附著強度——如何提高膜層的附著強度
8.4 臺階涂敷,繞射著膜率,孔底涂敷——如何在大凹凸表面沉積厚度均勻的膜層
8.5 等離子體及其在薄膜沉積中的作用——膜質的改善、新技術的開發
8.6 基板的傳輸機構
8.7 膜層中的針孔和超凈工作間
第9章 真空蒸鍍
9.1 概述
9.2 鍍料的蒸發
9.3 蒸發源
9.4 蒸發源的蒸氣發射特性與基板配置
9.5 蒸鍍裝置及操作
9.6 合金膜的蒸鍍
9.7 化合物膜的蒸鍍
9.8 脈沖激光熔射（PLA）
9.9 分子束外延技術
第10章 離子鍍和離子束沉積
10.1 離子鍍的原理
10.2 離子鍍的類型及特點
10.3 離子束沉積
10.4 離子束混合
第11章 濺射鍍膜
11.1 離子濺射
11.2 濺射鍍膜方式
11.3 磁控濺射源
11.4 濺射鍍膜的實例
第12章 化學氣相沉積（CVD）
12.1 熱氧化、氮化
12.2 熱CVD
12.3 等離子體CVD（PCVD）
12.4 光CVD（photo CVD）
12.5 有機金屬CVD（MOCVD）
12.6 金屬CVD585
12.7 半球形晶粒多晶SiCVD（HSGCVD）
12.8 鐵電體的CVD
12.9 低介電常數薄膜的CVD
第13章 干法刻蝕
13.1 干法刻蝕與濕法刻蝕
13.2 等離子體刻蝕——激發反應氣體刻蝕
13.3 反應離子刻蝕（RIE）
13.4 反應離子束刻蝕（RIBE）
13.5 氣體離化團束（GCIB）加工技術
13.6 微機械加工
13.7 干法刻蝕用離子源的開發
第14章 平坦化技術
14.1 平坦化技術的必要性
14.2 平坦化技術概要
14.3 不發生凹凸的薄膜生長
14.4 沉積同時進行加工防止凹凸發生的薄膜生長
14.5 薄膜生長后經再加工實現平坦化
14.6 埋入技術實例
14.7 化學機械研磨（CMP）技術
14.8 氣體離化團束（GCIB）加工平坦化
14.9 鑲嵌法布線及平坦化
14.10 平坦化技術與光刻制版術
第15章 薄膜材料
15.1 金屬薄膜材料
15.2 無機、陶瓷薄膜材料
15.3 有機、聚合物薄膜材料
15.4 半導體薄膜材料
第16章 薄膜材料的應用
16.1 表面改性
16.2 超硬膜用于切削刀具
16.3 能量變換薄膜與器件
16.4 傳感器
16.5
半導體器件 16.6 記錄與存儲
16.7 平板顯示器
16.8 金剛石薄膜的應用
16.9 太陽能電池
16.10 發光器件
第17章 薄膜材料的評價表征及物性測定
17.1 薄膜材料評價表征的特殊性
17.2 薄膜材料評價表征方法及其選擇
17.3 薄膜材料的評價表征
17.4 相關技術和裝置
17.5 薄膜材料評價表征舉例
17.6 薄膜材料的物性測定
附錄A 各種元素的溫度—蒸氣壓特性
附錄B 元素的電離電位
附錄C 物理常數表
附錄D（新舊）常用計量單位對照與換算
附錄E 能量換算表、壓力換算表及氣體的性質表
附錄F 半導體大規模集成
電路的發展預測
附錄G 示屏的圖像分辨率等級、圖像分辨率（像素數）和寬高比
附錄H 元素周期表
附錄I 薄膜技術與薄膜材料領域常用縮略語注釋
參考文獻
錄入時間： 2007/7/4 16:34:00
