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  標(biāo) 題:元器件SiP知識:面向系統(tǒng)集成封裝技術(shù)
  日 期:2007/6/27  源 自:中華職工學(xué)習(xí)網(wǎng) 【字體: 字體顏色
 

集成電路的發(fā)展在一定程度上可概括為一個集成化的過程。近年來發(fā)展迅速的SiP技術(shù)利用成熟的封裝工藝集成多種元器件為系統(tǒng),與SoC互補,能夠?qū)崿F(xiàn)混合集成,設(shè)計靈活、周期短、成本低。


  多年來,集成化主要表現(xiàn)在器件內(nèi)CMOS晶體管的數(shù)量,比如存儲器。隨著電子設(shè)備復(fù)雜程度的不斷增加和市場需求的迅速變化,設(shè)備制造商面臨的集成難度越來越大,開始采用模塊化的硬件開發(fā),相應(yīng)地在IC上實現(xiàn)多功能集成的需求開始變得突出。SoC在這個發(fā)展方向上走出了第一步。但受到半導(dǎo)體制造工藝的限制,SoC集成的覆蓋面有固定的范圍。隨著網(wǎng)絡(luò)與通信技術(shù)的普及,物理層前端硬件(模擬系統(tǒng))是多數(shù)系統(tǒng)中必要的組成,以SoC實現(xiàn)這類系統(tǒng)的單芯片集成有明顯困難。

  封裝載體與組裝工藝

  是構(gòu)成SiP技術(shù)要素

  構(gòu)成SiP技術(shù)的要素是封裝載體與組裝工藝。前者包括PCB,LTCC,SiliconSubmount(其本身也可以是一塊IC)。后者包括傳統(tǒng)封裝工藝(Wirebond和FlipChip)和SMT設(shè)備。無源器件是SiP的一個重要組成部分,其中一些可以與載體集成為一體(Embedded,MCM-D等),另一些(精度高、Q值高、數(shù)值高的電感、電容等)通過SMT組裝在載體上。SiP的主流封裝形式是BGA。就目前的技術(shù)狀況看,SiP本身沒有特殊的工藝或材料。這并不是說具備傳統(tǒng)先進(jìn)封裝技術(shù)就掌握了SiP技術(shù)。由于SiP的產(chǎn)業(yè)模式不再是單一的代工,模塊劃分和電路設(shè)計是另外的重要因素。模塊劃分是指從電子設(shè)備中分離出一塊功能,既便于后續(xù)的整機集成又便于SiP封裝。電路設(shè)計要考慮模塊內(nèi)部的細(xì)節(jié)、模塊與外部的關(guān)系、信號的完整性(延遲、分布、噪聲等)。隨著模塊復(fù)雜度的增加和工作頻率(時鐘頻率或載波頻率)的提高,系統(tǒng)設(shè)計的難度會不斷增加,導(dǎo)致產(chǎn)品開發(fā)的多次反復(fù)和費用的上升,除設(shè)計經(jīng)驗外,系統(tǒng)性能的數(shù)值仿真必須參與設(shè)計過程。

  優(yōu)化系統(tǒng)性能

  提高集成度

  與在印刷電路板上進(jìn)行系統(tǒng)集成相比,SiP能最大限度地優(yōu)化系統(tǒng)性能、避免重復(fù)封裝、縮短開發(fā)周期、降低成本、提高集成度。對比SoC,SiP具有靈活度高、集成度高、設(shè)計周期短、開發(fā)成本低、容易進(jìn)入等特點。SiP將打破目前集成電路的產(chǎn)業(yè)格局,改變封裝僅僅是一個后道加工廠的狀況。未來集成電路產(chǎn)業(yè)中會出現(xiàn)一批結(jié)合設(shè)計能力與封裝工藝的實體,掌握有自己品牌的產(chǎn)品和利潤。目前全世界封裝的產(chǎn)值只占集成電路總值的10%,當(dāng)SiP技術(shù)被封裝企業(yè)掌握后,產(chǎn)業(yè)格局就要開始調(diào)整,封裝業(yè)的產(chǎn)值將會出現(xiàn)一個跳躍式的提高,這是我國發(fā)展有自主知識產(chǎn)權(quán)的先進(jìn)封裝技術(shù)的良好時機。

  SiP技術(shù)優(yōu)勢在無線通信中充分顯露

  SiP技術(shù)可以應(yīng)用到信息產(chǎn)業(yè)的各個領(lǐng)域,但目前研究和應(yīng)用最具特色的是在無線通信中的物理層電路。商用射頻芯片很難以用硅平面工藝實現(xiàn),使得SoC技術(shù)能實現(xiàn)的集成度相對較低,性能難以滿足要求。同時由于物理層電路工作頻率高,各種匹配與濾波網(wǎng)絡(luò)含有大量無源器件,SiP的技術(shù)優(yōu)勢就在這些方面充分顯示出來。目前SiP技術(shù)尚屬初級階段,雖有大量產(chǎn)品采用了SiP技術(shù),其封裝的技術(shù)含量不高,系統(tǒng)的構(gòu)成與在PCB上的系統(tǒng)集成相似,無非是采用了未經(jīng)封裝的芯片通過COB技術(shù)與無源器件組合在一起,系統(tǒng)內(nèi)的多數(shù)無源器件并沒有集成到載體內(nèi),而是采用SMT分立器件。

  在SiP這一名詞普及之前就已經(jīng)出現(xiàn)了多種單一封裝體內(nèi)集成的產(chǎn)品,歷史原因造成了這些產(chǎn)品至今還沒有貼上SiP的標(biāo)簽。最早出現(xiàn)的模塊是手機中的功率放大器,這類模塊中可集成多頻功放、功率控制、及收發(fā)轉(zhuǎn)換開關(guān)等功能。另外三維多芯片的存儲模塊,邏輯電路與存儲電路的集成也處于這種情況。

  集成度較高的是Bluetooth和802.11(b/g/a)。Philips公司的BGB202BluetoothSiP模塊除了天線之外,包含了基帶處理器和所有的物理層電路,其中一部分濾波電路就是用薄膜工藝實現(xiàn)的(但不是在SiP的載體中,而是以一個分立的無源芯片形式出現(xiàn)的)。整個模塊的外圍尺寸是7mm×8mm×1.4mm。外部單元只需要天線和時鐘。Philips還有一款面向3G通信的手機電視解決方案也采用了SiP技術(shù),9mmx9mm的模塊內(nèi)包含了高頻頭、信道解調(diào)和解碼。

 
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