1 引言
　　目前在半導體工業生產中，普遍采用的清洗工藝是改進的RCA清洗技術，多年來，人們對RCA清洗技術的清洗效果進行了深入的研究，kern證明RCA工藝可在硅片的表面形成1～1.5nm的氧化硅鈍化膜[1]，okumura觀察到標準的RCA清洗對硅片表面有較嚴重的粗糙化作用[2]，研究人員一直沒有放棄取代技術的研究。1994年，山東大學發明了可以與標準RCA工藝相媲美的新型清洗技術[3]，采用了DGQ-1和DGQ-2新型清洗劑，近年來也被廣泛采用。本文主要討論了添加表面活性劑和HF的RCA改進清洗技術對拋光片金屬沾污和表面顆粒的影響。
2 實驗方法
　　分別采用φ150mm，p(100)，8～11Ω·cm；φ125mm，p（111），3～5Ω·cm；φ100mm，n（100），0.0012～0.0015Ω·cm；φ100mm，n（111），0.010～0.013Ω·cm四種不同型號的拋光硅片。拋光完成后，放入加有活性劑的純水中浸泡，進行分組。每一種型號拋光片分三組，每組取24片。第一組用標準RCA工藝清洗；第二組用稀釋的RCA工藝清洗 ；第三組用添加表面活性劑和HF的RCA改進清洗技術進行清洗。顆粒由CR80檢測，金屬沾污由TXRF和SIMS檢測所得。
3 結果與討論
　　硅片表面質量的主要指標有：微粗糙度（RMS）、金屬沾污和表面顆粒度以及有機沾污，這些指標對器件性能有重大影響。對于硅表面的微粗糙度主要受RCA清洗工藝和HF清洗的影響，但可以通過降低氨水含量和稀釋HF得以抑制[4]。因此，我們通過降低氨水濃度和極度稀釋HF的清洗技術來更好地保證硅片表面的微粗糙度，鑒于此，對于我們的實驗，金屬沾污和表面顆粒度的控制顯得更為重要。
3.1 金屬沾污
　　金屬沾污會破壞薄氧化層的完整性、增加漏電流密度、減少少子壽命；活動離子如鈉會在氧化層中引起移動電荷，影響MOS器件的穩定性；重金屬離子會增加暗電流；快擴散離子，如銅、鎳，易沉積于硅表面，形成微結構缺陷（S-Pits）；鐵沉淀會使柵氧化層變薄。另外銅會在硅二氧化硅界面形成富銅沉淀，在高溫（1200℃/20s）時過飽和銅硅化物會使氧化層彎曲、破裂，直至穿透，在低溫（900℃/20s）時形成透鏡狀沉淀，使氧化層變薄[5]。當金屬沾污嚴重時，還會形成霧狀缺陷（Haze）。微缺陷和霧狀缺陷都與氧化誘生層錯（OSF）和外延層錯相關。表1引用了300mm硅片對表面各類金屬離子的清洗要求。
　　金屬沾污在硅片表面的方式主要有三種[6] ；物理吸附（范德華力）、化學吸附（形成共價鍵）、金屬替位（電子轉移）。如以酸性溶液結束，能使表面形成氧化層以阻止金屬電化學沉淀，在酸性溶液中能溶解陽離子以免物理吸附，同時使表面呈正電，避免化學吸附，因此，我們研究了改進的RCA清洗工藝來有效地去除金屬沾污。表2是不同工藝條件的金屬沾污的檢測結果，其中Al和Na由SIMS檢測，其他由TXRF測得。表3單獨列舉了樣片N04硅片Al和Na的SIMS結果。
　　在圖1到圖3中，橫坐標表示硅片表面的沾污深度，縱坐標表示沾污濃度(單位面積的原子數)，可見，添加了活性劑和HF的RCA改進工藝有良好的去金屬沾污能力，且明顯優于標準的RCA工藝和稀釋的RCA工藝。
3.2 表面顆粒
　　表面顆粒度會引起圖形缺陷、外延前線、影響布線的完整性，是提高成品率的最大障礙。特別是在硅片鍵合時，引入微隙，同時也引起位錯，影響鍵合強度和表層質量。
　　顆粒的去除一般認為是靜電排斥作用所致。顆粒表面一般都帶負電，當硅片表面呈正電時易于吸引顆粒，降低顆粒去除效率，還會引起顆粒的再沉淀；當硅片表面呈負電時，由于靜電排斥作用，顆粒被“推離”硅表面，達到去除的目的。另外，離子強度會影響顆粒去除[7]。在酸性溶液中，離子強度高，顆粒易于沉淀；隨著pH值的增加，顆粒沉淀減少。因此我們采用了添加了表面活性劑的極度稀釋RCA 1來有效地去除表面顆粒，并結合極度稀釋的RCA 2改進工藝來有效地減少顆粒的重新沉淀，以達到極少的表面顆粒。表4是我們不同工藝條件下的顆粒檢測結果。
　　圖4是不同工藝顆粒平均比較，由圖4可見改進的RCA工藝明顯提高了硅片表面的去顆粒能力。
4 結論
　　運用表面活性劑和HF的RCA改進工藝，能夠很好地控制拋光片表面的顆粒度和金屬沾污。通過TXRF和SIMS的檢測可知，RCA工藝的去金屬沾污的能力與標準RCA工藝和稀釋的RCA工藝相比，效果明顯，能夠做到Al<1010cm-2、其他金屬<109cm-2。通過CR80對表面顆粒的檢測，發現改進的RCA工藝的去表面顆粒的能力與標準RCA工藝和稀釋的RCA工藝相比，效果明顯，對于0.18mm以上的顆粒能夠控制在15顆以內，平均能夠控制在5顆。另外與標準RCA工藝和稀釋的RCA工藝相比，改進的RCA工藝的一次合格率明顯提高，且具備工藝相當、成本降低、生產效率增加等優點。

參考文獻：
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